زشد نانو لایه tacun به روش کند و پاش (dc magnetron sputtering) و مشخصه یابی آن

پایان نامه
چکیده

در این پایان نامه با توجه به خواص منحصر به فرد لایه های نازک، لایه نازک تانتالیم مس نیتراید (tacun) با استفاده از روش کندوپاش مغناطیسی جریان مستقیم، بر روی زیرلایه های سیلیکون، استیل و bk7 تهیه شد. هدفی که برای تولید لایه نازک tacun به کار برده شد، یک هدف ترکیبی شامل استوانه ای از جنس تانتالیم که سیمی از جنس مس به دور آن پیچیده شده بود که در آزمایشگاه ساخته شد. لایه نشانی در چهار مرحله با استفاده از مقدارهای مختلف گاز نیتروژن (در مخلوطی از گاز آرگون و نیتروژن) انجام شد. سپس با انجام آزمایشات مشخصه یابی، مشخصه های فیزیکی، اپتیکی، مکانیکی و الکتریکی لایه های تهیه شده و اثر مقدار گاز نیتروژن بر خواص لایه ها بررسی گردید. بعد از مشخصه یابی لایه ها، آنها تحت فرآیند بازپخت (در فضای گاز نیتروژن) به ترتیب در دماهای 450 و 700 به مدت 30 دقیقه قرار گرفتند. بلافاصله بعد از انجام فرآیند لایه نشانی، ساختار کریستالوگرافی و مورفولوژی سطح نمونه ها با استفاده از آنالیزهای xrd و afm مورد بررسی قرار گرفت. همچنین جهت بررسی خواص اپتیکی، میزان انعکاس و عبور از لایه ها، توسط دستگاه اسپکتروفوتومتری اندازه گیری شد که نتایج، نشان دهنده بالا بودن میزان عبور لایه ها در ناحیه مرئی و جذب بسیار کم توسط آنها در این ناحیه می باشد. از روی کمینه های طیف انعکاسی لایه ها، ضخامت آنها محاسبه شد و نتایج حاصل با یک درصد خطای کوچک بامقادیر حاصل از روش عملی همخوانی داشت.در راستای بررسی خواص مکانیکی، با استفاده از آزمایش نانو دندانه گذاری سختی لایه ها اندازه گیری و کاهش یافتن سختی آنها با افزایش درصد نیتروژن مشاهده گردید. همچنین در بررسی مقاومت الکتریکی لایه، عایق بودن آن تایید شد. بعد از انجام فرآیند بازپخت نیز ساختار کریستالوگرافی و مورفولوژی سطح نمونه ها (با استفاده از آنالیزهای xrd و afm)، میزان انعکاس از لایه ها و همچنین تغییرات ضریب شکست آنها مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج آزمایش xrdگرفته شده از این نمونه ها بلافاصله بعد از انجام فرآیند لایه نشانی، نشان داد که هر چهار نمونه دارای ساختار آمورف هستند و برای لایه های بازپخت شده در دمای 450 تنها تشکیل صفحات کریستالی مس، و بعد از بازپخت در دمای 700 تشکیل ساختارهای کریستالی ترکیبات نیتریدی در لایه ها مشاهده شد. نتایج آزمایش afmدر هر سه مرحله نشان داد با افزایش مقدار نیتروژن زمختی سطح در ابتدا مقداری افزایش و سپس اندکی کاهش می یابد. دربررسی ضریب شکست لایه ها مشاهده شد که در یک طول موج ثابت، با افزایش مقدار نیتروژن در ساختارهای مشابه، مقدار ضریب شکست کاهش می یابد

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

CrNx Films Prepared by DC Magnetron Sputtering and High-Power Pulsed Magnetron Sputtering: A Comparative Study

CrNx (0 ≤ x ≤ 0.91) films synthesized using highpower pulsed magnetron sputtering, also known as high-power impulse magnetron sputtering (HiPIMS), have been compared with those made by conventional direct-current (dc) magnetron sputtering (DCMS) operated at the same average power. The HiPIMS deposition rate relative to the DCMS rate was found to decrease linearly with increasing emission streng...

متن کامل

AlNXOY THIN FILMS DEPOSITED BY DC REACTIVE MAGNETRON SPUTTERING

AlNxOy thin films were produced by DC reactive magnetron sputtering, using an atmosphere of argon and a reactive gas mixture of nitrogen and oxygen, for a wide range of partial pressures of reactive gas. During the deposition, the discharge current was kept constant and the discharge parameters were monitored. The deposition rate, chemical composition, morphology, structure and electrical resis...

متن کامل

Superhard NbB2-x thin films deposited by dc magnetron sputtering

We have deposited weakly textured substoichiometric NbB2-x thin films by magnetron sputtering from a NbB2 target. The films exhibit superhardness (42 ± 4 GPa), previously only observed in overstoichiometric TiB2 thin films, and explained by a self-organized nanostructuring, where thin TiB2 columnar grains hinder nucleation and slip of dislocations and a B-rich tissue phase between the grains pr...

متن کامل

DEPOSITION OF THIN TiO2 FILMS BY DC MAGNETRON SPUTTERING METHOD

Sputter deposition process is another old technique being used in modern semiconductor industries. Sputtering is a process that can deposit TiO2 material on wafer/glass substrates. In this process target is connected to negative high voltage. Further argon gas is introduced into the chamber and is ionized to a positive charge. The positively charged argon atoms are attracted and strike the nega...

متن کامل

Pulsed DC Power Supplies for Dual Magnetron Sputtering

Key features of this waveform are the voltage boost period following each polarity transition and fast current rise time due to that boost. Ideally, the boost voltage would be adjustable. It is expected that adjusting the boost voltage will enable some tuning of the film properties, since it will effectively allow tuning of ion energy within the process. Additionally, adjustable duty, the ratio...

متن کامل

The role of Ohmic heating in dc magnetron sputtering

Sustaining a plasma in a magnetron discharge requires energization of the plasma electrons. In this work, Ohmic heating of electrons outside the cathode sheath is demonstrated to be typically of the same order as sheath energization, and a simple physical explanation is given. We propose a generalized Thornton equation that includes both sheath energization and Ohmic heating of electrons. The s...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم پایه

کلمات کلیدی

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023